损耗

• 永磁电机如何耐高温，简单说明一下

  

  永磁电机如何耐高温，简单说明一下，电机,控制器，控制器,器件,损耗,环境温度，高低温环境下永磁电机系统的器件特性和指标变化大，电机模型与参数复杂，非线性度增加、耦合程度增加，功率器件损耗变化大，不但驱动器的损耗分析与温升控制策略复杂，而且四象限运行控制更加重要，常规的驱动控制器设计和电机系统控制策略不能满足高温环境的要求。 常规设计的驱动控制器工作在环境温度相对稳定条件下，而且很少考虑质量、体积等指标。然而在极端工况下，环境温度在－70 ～...

  2021-10-29 11:41:00行业信息控制器 器件 损耗

• 意法半导体新系列超级结晶体管改进多个关键参数

  

  意法半导体新系列超级结晶体管改进多个关键参数，意法半导体,晶体管,芯片，芯片,参数,损耗,市场，2021年10月26日，中国——STPOWER MDmeshK6 新系列超级结晶体管改进多个关键参数，最大限度减少系统功率损耗，特别适合基于反激式拓扑的照明应用，例如， LED 驱动器、HID 灯，还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。 意法半导体800V STPOWER MDmesh K6系列，为这种超级结晶体管技术树立了高性能和易用性兼备的...

  2021-10-28 10:41:00行业信息芯片 参数 损耗

• 一种更快、更有效地将无刷直流电机设计推向市场的方式

  

  一种更快、更有效地将无刷直流电机设计推向市场的方式，无刷直流电机,栅极驱动器,微处理器，微处理器,驱动器,市场,损耗，一种更快、更有效地将无刷直流电机设计推向市场的方式-无刷直流电机不需要电刷和换向器之间的物理接触。这一步消除了摩擦引起的机械损耗，使无刷直流电机更适合长期使用。"...

  2021-10-27 12:34:00行业信息微处理器 驱动器 市场

• 意法半导体新MDmesh™ K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低开关功率损耗

  

  意法半导体新MDmesh™ K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低开关功率损耗，损耗，系统，参数，适合，驱动器，　　2021 年 10 月 26 日，中国——STPOWER MDmesh K6 新系列超级结晶体管改进多个关键参数，最大限度减少系统功率损耗，特别适合基于反激式拓扑的照明应用，例如， LED 驱动器、HID 灯，还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。　　意法半导体 800V STPOWER MDmesh K6系列， 为这种超级结晶体管技术树立了高性能和易用性兼备的...

  2021-10-26 00:00:00百科损耗 系统 参数

• 稳中求进实力强横的欧美系MOSFET有哪些

  

  稳中求进实力强横的欧美系MOSFET有哪些，cpu,MOSFET,安森美,ST，损耗,友网,有哪些,发烧，电子发烧友网报道（文/李宁远）时至今日，大至功率变换器，小至内存、CPU等各类电子设备核心元件，无不用到MOSFET。MOSFET作为一种半导体器件，既能够实现电路的通，又能够实现电路的断。 发展到现在，MOSFET主要应用于中小功率场合如电脑功率电源、家用电器等，具有驱动功率小、电流关断能力强、开关速度快损耗小且不存在二次击穿的优点。...

  2021-10-21 15:30:00行业信息损耗 友网 有哪些

• Nexperia面向USB4标准接口推出极低钳位的双向ESD保护器件

  

  Nexperia面向USB4标准接口推出极低钳位的双向ESD保护器件，损耗，行业，推出，接口，回波，　　TrEOS二极管为更强劲的USB4TM数据传输提供行业领先的插入损耗和回波损耗特性　　奈梅亨，2021年10月21日：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出两款PESD5V0R1BxSF器件，即具有极低钳位和电容的双向静电放电（ESD）保护二极管。该器件采用Nexperia TrEOS的主动可控硅整流技术的技术，可确保笔记本电脑和外围设备、智能手机及其他便携式电子设备上的USB4TM（高达...

  2021-10-21 00:00:00百科损耗 行业 推出

• Nexperia面向USB4标准接口推出极低钳位的双向ESD保护器件

  

  Nexperia面向USB4标准接口推出极低钳位的双向ESD保护器件，损耗，行业，推出，接口，回波，　　TrEOS二极管为更强劲的USB4TM数据传输提供行业领先的插入损耗和回波损耗特性　　奈梅亨，2021年10月21日：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出两款PESD5V0R1BxSF器件，即具有极低钳位和电容的双向静电放电（ESD）保护二极管。该器件采用Nexperia TrEOS的主动可控硅整流技术的技术，可确保笔记本电脑和外围设备、智能手机及其他便携式电子设备上的USB4TM（高达...

  2021-10-21 00:00:00百科损耗 行业 推出

• Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET数字栅极驱动器，可将开关损耗降低50%

  

  Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET数字栅极驱动器，可将开关损耗降低50%，配置，驱动器，推出，损耗，数字，同时加快产品上市时间，现已投入生产。新技术使电动公共汽车等电动交通动力系统能够满足并超出严格的环境条件要求，同时最大限度地提高效率。随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加，以满足更低的碳排放目标，基于碳化硅的电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步完善其丰富的碳化硅MOSFET分立和模块产品组合，Microchip Technology Inc.（...

  2021-09-22 00:00:00百科配置 驱动器 推出

• Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET数字栅极驱动器，可将开关损耗降低50%

  

  Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET数字栅极驱动器，可将开关损耗降低50%，配置，驱动器，推出，损耗，数字，同时加快产品上市时间，现已投入生产。新技术使电动公共汽车等电动交通动力系统能够满足并超出严格的环境条件要求，同时最大限度地提高效率。随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加，以满足更低的碳排放目标，基于碳化硅的电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步完善其丰富的碳化硅MOSFET分立和模块产品组合，Microchip Technology Inc.（...

  2021-09-22 00:00:00百科配置 驱动器 推出

• 高速无刷电机改善磁损和AC损耗的方法介绍

  

  高速无刷电机改善磁损和AC损耗的方法介绍，无刷电机,散热，损耗,薄片,方法,负荷，高速无刷电机损耗随转速几何级数提高， 高损耗使得电机效率快速衰减，为了实现高效，必须治理好各类损耗。以铁耗为例，为了降低涡流损耗，一般采用超薄硅钢片。超薄片能够降低涡流损耗但改善不了磁滞损耗，因此超薄片的铁耗磁滞损耗占大头，而普通片中涡流损耗占大头。改善磁滞损耗，可以从下面三条路子出发 1.优化磁路设计提高磁场正弦性、降低谐波铁耗； 2.降低磁负荷、增加热负荷...

  2021-09-17 10:50:00行业信息损耗 薄片 方法

• 用于轻型车辆发电机的新型超低损耗二极管可减少二氧化碳排放

  

  用于轻型车辆发电机的新型超低损耗二极管可减少二氧化碳排放，二极管,发电机,整流二极管，损耗,车辆,用于,系统，用于轻型车辆发电机的新型超低损耗二极管可减少二氧化碳排放-在传统汽车中，发电机产生的电能用于给电池充电，并为越来越多的安全和舒适功能（如驾驶辅助系统、空调和信息娱乐系统）供电。"...

  2021-08-12 17:44:00行业信息损耗 车辆 用于

• 安森美半导体推出创新的超高密度离线电源方案

  

  安森美半导体推出创新的超高密度离线电源方案，损耗，传感器，密度，推出，离线，　　业界首款图腾柱PFC控制器以高性价比提供高性能　　2021年6月23日—推动高能效创新的安森美半导体 （ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），推出业界首款专用临界导通模式 （CrM） 图腾柱PFC控制器，是该公司超高密度离线电源方案集的新成员。　　在传统的PFC电路中，整流桥二极管在240 W电源中的损耗约4 W，占总损耗的20%左右。相比之下，PFC级的能效通常为97%，LLC电路实现类似的性能。然...

  2021-06-23 00:00:00百科损耗 传感器 密度

• 贸泽备货Qorvo QPQ1298高性能BAW滤波器 为n41子频段 5G网络基础设施提供支持

  

  贸泽备货Qorvo QPQ1298高性能BAW滤波器 为n41子频段 5G网络基础设施提供支持，支持，损耗，网络，滤波器，数据，2021年6月22日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 （Mouser Electronics） 即日起备货Qorvo®的QPQ1298体声波 （BAW） 滤波器。QPQ1298是一款高性能BAW 5G滤波器，设计用于基站基础设施、小型基站和中继器应用中的n41子频段上行链路和下行链路。贸泽备货的Qorvo QPQ1298具有低插入损耗和高衰减等特性，对...

  2021-06-22 00:00:00百科支持 损耗 网络

• Nexperia推出全新Trench肖特基整流器 旨在为快速开关应用提高效率

  

  Nexperia推出全新Trench肖特基整流器 旨在为快速开关应用提高效率，整流器，提高效率，推出，损耗，异步，新器件已通过AEC-Q101认证，支持高达100 V的电压和20 A的电流，开关损耗低且安全工作区域增大奈梅亨，2021年5月10日：基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布扩充了旗下的Trench肖特基整流器产品组合，最新推出额定电压和电流分别高达100 V和20 A的全新器件，具有出色的开关性能和领先的热性能。新器件采用Nexperia的夹片式FlatPower （CFP）封装，管脚尺...

  2021-05-10 00:00:00百科整流器 提高效率 推出

• 碳化硅在下一代工业电机驱动器中的作用

  

  碳化硅在下一代工业电机驱动器中的作用，损耗，反向恢复，作用，系统，驱动器，作者： 安森美半导体工业及云电源公司营销及战略高级经理Ali Husain国际能源署（IEA）估计，电机功耗占世界总电力的45%以上。因此，找到最大化其运行能效的方法至关重要。能效更高的驱动装置可以更小，并且更靠近电机，从而减少长电缆带来的挑战。从整体成本和持续可靠性的角度来看，这将具有现实意义。宽禁带（WBG）半导体技术的出现将有望在实现新的电机能效和外形尺寸基准方面发挥重要作用。使用WBG材料如碳化硅（SiC）可制造出性能超越硅...

  2021-04-27 00:00:00百科损耗 反向恢复 作用

• ROHM开发出兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM“BM6437x系列”

  

  ROHM开发出兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM“BM6437x系列”，新开，损耗，噪声，辐射，在这，有助于进一步减少白色家电和小型工业设备的功耗和设计工时。全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新开发出四款兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM*1（Intelligent Power Module）“BM6437x系列”，该系列产品可内置于空调、洗衣机等白色家电和小型工业设备（如工业用机器人用的小容量电机等）中，且非常适用于各种变频器的功率转换。近年来...

  2021-04-20 00:00:00百科新开 损耗 噪声

• Vishay推出的新款microBUCK® 稳压器可提高功率密度和瞬变响应能力

  

  Vishay推出的新款microBUCK® 稳压器可提高功率密度和瞬变响应能力，功率密度，封装，能力，响应，损耗，　　器件符合PMBus 1.3电源系统管理标准，简化POL转换器设计　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年3月24日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出新型15 A、25 A和 40 A系列器件---SiC45x系列，扩充其microBUCK® 同步降压稳压器，新型器件采用热增强5 mm x 7 mm PowerPAK®...

  2021-03-24 00:00:00百科功率密度 封装 能力

• 2.5x2mm低成本多层带通滤波器LFB2H掉电检测/复位(BOR)

  

  2.5x2mm低成本多层带通滤波器LFB2H掉电检测/复位(BOR)，损耗,衰减,无线网络,滤波器,检测，尺寸为2.5x2mm低成本多层带通滤波器LFB2H系列，目标应用是无线设备。LFB2H系列滤波器能改善衰减，降低插入损耗。衰减和插入损耗在无线网络设备如2.4GHz频段，802.11b和802.11a无线局域网(WLAN)和蓝牙中是主要的指...

  2021-03-14 23:26:05电子技术损耗 衰减 无线网络

• EDB可堆置到功率单元上端A/D转换器的动态性能

  

  EDB可堆置到功率单元上端A/D转换器的动态性能，损耗,公司,单元,集成度,多级，PI-IPM是iNTERO系列中集成度最高的器件，可提供多级功能，满足设计人员的需要。各种模块均采用IR公司先进的IGBT半导体技术。与业界标准IGBT技术相比，它们可提供更低的功率损耗和牵引电流，在更高频率中体现更低损耗、更高的耐用性和更...

  2021-03-14 23:05:14电子技术损耗 公司 单元

• 波导同轴适配器直角型和end-launch同轴连接器选件

  

  波导同轴适配器直角型和end-launch同轴连接器选件，器件,连接器,参数,选件,损耗，SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超结技术，10V条件下典型导通电阻仅为0.061Ω，超低栅极电荷降至50nC。器件的FOM为3.1Ω*nC，比同类最接近的MOSFET低30%。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而节省...

  2021-03-07 14:36:31电子技术器件 连接器 参数

• Vishay推出的新款microBUCK® 稳压器可提高功率密度和瞬变响应能力

  

  Vishay推出的新款microBUCK® 稳压器可提高功率密度和瞬变响应能力，功率密度，封装，能力，响应，损耗，　　器件符合PMBus 1.3电源系统管理标准，简化POL转换器设计　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年3月24日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出新型15 A、25 A和 40 A系列器件---SiC45x系列，扩充其microBUCK® 同步降压稳压器，新型器件采用热增强5 mm x 7 mm PowerPAK®...

  2021-03-24 00:00:00百科功率密度 封装 能力

• 2.5x2mm低成本多层带通滤波器LFB2H掉电检测/复位(BOR)

  

  2.5x2mm低成本多层带通滤波器LFB2H掉电检测/复位(BOR)，损耗,衰减,无线网络,滤波器,检测，尺寸为2.5x2mm低成本多层带通滤波器LFB2H系列，目标应用是无线设备。LFB2H系列滤波器能改善衰减，降低插入损耗。衰减和插入损耗在无线网络设备如2.4GHz频段，802.11b和802.11a无线局域网(WLAN)和蓝牙中是主要的指...

  2021-03-14 23:26:05电子技术损耗 衰减 无线网络

• EDB可堆置到功率单元上端A/D转换器的动态性能

  

  EDB可堆置到功率单元上端A/D转换器的动态性能，损耗,公司,单元,集成度,多级，PI-IPM是iNTERO系列中集成度最高的器件，可提供多级功能，满足设计人员的需要。各种模块均采用IR公司先进的IGBT半导体技术。与业界标准IGBT技术相比，它们可提供更低的功率损耗和牵引电流，在更高频率中体现更低损耗、更高的耐用性和更...

  2021-03-14 23:05:14电子技术损耗 公司 单元

• 波导同轴适配器直角型和end-launch同轴连接器选件

  

  波导同轴适配器直角型和end-launch同轴连接器选件，器件,连接器,参数,选件,损耗，SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超结技术，10V条件下典型导通电阻仅为0.061Ω，超低栅极电荷降至50nC。器件的FOM为3.1Ω*nC，比同类最接近的MOSFET低30%。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而节省...

  2021-03-07 14:36:31电子技术器件 连接器 参数