栅极

• 覆盖1.8-150MHz的栅极陷流测试振荡器电路图

  

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  2023-09-18 21:17:00电路图电路图 覆盖 测试

• 基本栅极陷流测试振荡器电路图

  

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  2023-09-18 21:17:00电路图测试 电路图 栅极

• 对称栅极控制驱动电路

  

  对称栅极控制驱动电路，电路图,数字电路图,对称栅极控制驱动电路 栅极,驱动电路，栅极驱动电压由触发脉冲通过推挽输出电路提供。当触发脉冲为高电平，V5 截止，推挽输出电路基极为低电平，V3 截止，V4 导通，从负载抽取电流，栅极得到负压封锁电平。当触发脉冲为低电平，V5 导通，推挽输出电路基极为高电平，V3 导通，V4 截止，向负载灌电流，栅极得到正压导通电平。对称栅极控制驱动电路:...

  2023-09-18 19:18:00电路图电路 栅极 数字

• 风能发电中的碳化硅与IGBT对比分析

  

  风能发电中的碳化硅与IGBT对比分析，MOSFET,IGBT,氮化镓,栅极驱动器,功率逆变器，逆变器,驱动器,栅极,碳化硅，风能发电中的碳化硅与IGBT对比分析-SiC MOSFET被推广为使用IGBT的现有设计的绝佳替代品。IGBT一直是大型光伏逆变器和风力涡轮机>1000 V应用的支柱，提供中速开关。"...

  2022-11-01 10:38:00行业信息逆变器 驱动器 栅极

• 东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦

  

  东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦，推出，封装，东芝，用于，栅极，　　中国上海，2021年11月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件于今日开始支持批量出货。　　　　TLP5705H是东芝首款采用厚度仅有2.3毫米（最大值）的薄性封装（SO6L）可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。传统采用缓冲电...

  2021-11-30 00:00:00百科推出 封装 东芝

• 东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦

  

  东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦，推出，封装，东芝，用于，栅极，　　中国上海，2021年11月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件于今日开始支持批量出货。　　　　TLP5705H是东芝首款采用厚度仅有2.3毫米（最大值）的薄性封装（SO6L）可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。传统采用缓冲电...

  2021-11-30 00:00:00百科推出 封装 东芝

• 积极重夺制造霸主地位，英特尔不玩“纳米游戏”了

  

  积极重夺制造霸主地位，英特尔不玩“纳米游戏”了，英特尔，英特尔,首席执行官,节点,栅极，英特尔(Intel)首席执行官Pat Gelsinger已经受够了…他代表Intel宣布，10纳米工艺还是10纳米，但是该节点(代号SuperFin)的下一代，会叫做“Intel 7”，然后再来是“Intel 4”、“Intel 3”，不会出现“纳米”这个字眼。而在3之后，Intel着眼于埃米(angstroms，Å)尺寸，接下来的节点会叫做“20A”与...

  2021-08-04 15:09:00行业信息英特尔 首席执行官 节点

• 英飞凌推出面向30 W-500W功率级应用的 CoolGaN™ IPS系列产品

  

  英飞凌推出面向30 W-500W功率级应用的 CoolGaN™ IPS系列产品，英飞凌，驱动器，推出，路径，栅极，【2021年5月11日，德国慕尼黑讯】采用氮化镓（GaN）这种宽禁带（WBG）材料制成的功率开关凭借其出色的效率及高速切换频率，开启了功率电子的新时代。顺应这一发展趋势，英飞凌科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）推出集成式功率级（IPS）产品 CoolGaN™ IPS 系列，成为旗下众多 WBG 功率元件组合的最新产品。IPS 基本的产品组合包括半桥和单通道产品，目标市场为低...

  2021-05-11 00:00:00百科英飞凌 驱动器 推出

• Vishay推出业界首款符合AEC-Q101要求的N通道60V MOSFET--- SQJ264EP

  

  Vishay推出业界首款符合AEC-Q101要求的N通道60V MOSFET--- SQJ264EP，通道，业界，推出，栅极，电荷，Vishay推出业界首款符合AEC-Q101要求的PowerPAK® SO-8L非对称双芯片封装60 V MOSFET。紧凑型5mm x 6mm器件可助力汽车行业节省空间并提高开关模式电源的效率。宾夕法尼亚、MALVERN — 2020年12月15日 —日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出了一款符合AEC-Q10...

  2020-12-15 00:00:00百科通道 业界 推出

• Vishay 60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET 专用于标准栅极驱动电路

  

  Vishay 60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET 专用于标准栅极驱动电路，器件，用于，专用，封装，栅极，器件专门用于标准栅极驱动电路，栅极电荷低至22.5 nC，QOSS为34.2 nC，采用PowerPAK® 1212-8S封装。宾夕法尼亚、MALVERN—2019年8月12日 — 日前，Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET--...

  2019-08-12 00:00:00百科器件 用于 专用

• MOSFET栅极驱动调整电路优化关键要点

  

  MOSFET栅极驱动调整电路优化关键要点，电路，调整,优化,方法,栅极，本文将对电源IC BD7682FJ的外置MOSFET的开关调整部件和调整方法进行介绍。" /...

  2019-08-07 14:27:00行业信息调整 优化 方法

• 英飞凌推出新款1EDC Compact系列驱动器

  

  英飞凌推出新款1EDC Compact系列驱动器，推出，英飞凌，驱动器，栅极，股份公司，2018年6月22日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）今天推出EiceDRIVER™ 1EDC Compact 300 mil系列单通道栅极驱动电路。这种电隔离驱动器的绝缘测试电压达到VISO = 2500 Vrms，60秒，通过了UL 1577认证。并且具备高达1000 kHz的高开关速度，因此它们不仅能驱动IGBT，而且可以作为...

  2018-06-22 00:00:00百科推出 英飞凌 驱动器

• Vishay推出采用平面封装的新款小型栅极驱动变压器，可显著节省空间

  

  Vishay推出采用平面封装的新款小型栅极驱动变压器，可显著节省空间，空间，推出，平面，封装，栅极，器件的占位为20.57mm x 18.42mm x 11.43mm，最小爬电和电气间隙为8mm。宾夕法尼亚、MALVERN — 2018 年 3 月7 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列小型栅极驱动变压器---MGDT，可在高功率的国防和航天、工业及医疗应用中显著节省空间。Vishay Custom M...

  2018-03-07 00:00:00百科空间 推出 平面

• Diodes栅极驱动器可在半桥或全桥配置下 开关功率MOSFET与IGBT

  

  Diodes栅极驱动器可在半桥或全桥配置下 开关功率MOSFET与IGBT，驱动器，配置，推出，公司，栅极，　　Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。目标应用包括大型家用电器的驱动电机、工业自动化系统以及电动自行车和无人驾驶飞机等以电池供电的运载工具。新产品还适用于超过600W的电源，以及燃料电池、太阳能和风力发电应用的反相器。　　DGD21xx...

  2016-03-14 00:00:00百科驱动器 配置 推出

• TI推出业内速度最快的600V栅极驱动器

  

  TI推出业内速度最快的600V栅极驱动器，驱动器，用于，德州仪器，推出，栅极，　　2015年10月16日，北京讯　　近日，德州仪器 （TI） 推出了业内速度最快的半桥栅极驱动器。这款用于分立式功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 的栅极驱动器的工作电压可达到600V。UCC27714高侧、低侧驱动器具有4A源电流和4A灌电流的处理能力，能够将组件占板面积减少50%，从而可在应用于服务器、电信和不间断电源等工业设计所使用的高频、离线AC/DC电源中实现更高的功率密度。　　UCC27714提供90...

  2015-10-16 00:00:00百科驱动器 用于 德州仪器

• Vishay Siliconix发布新款N沟道TrenchFET功率MOSFET-SiR872ADP

  

  Vishay Siliconix发布新款N沟道TrenchFET功率MOSFET-SiR872ADP，公司，封装，扩展，沟道，栅极，　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 4 月23 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术...

  2013-04-23 00:00:00百科公司 封装 扩展

• Vishay推出最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN

  

  Vishay推出最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN，推出，芯片，封装，业界，栅极，日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK®1212封装的器件，在实现低导通电阻的同时，高度比通常的0.7...

  2012-11-28 00:00:00百科推出 芯片 封装

• IR推出紧凑型车用AUIR0815S栅极驱动IC

  

  IR推出紧凑型车用AUIR0815S栅极驱动IC，推出，公司，整流器，栅极，车用，　　国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用IC ── AUIR0815S，具备超过10 A 的高输出电流，能够驱动逆变器级的大型 IGBT 和 MOSFET，适用于混合动力汽车和电动汽车中的动力系统。　　AUIR0815S 的超低输出阻抗和低功率损耗使其可以在恶劣和高温环境下运行。典型的输出电阻为 90 mΩ sink 和 180 mΩ source...

  2012-02-02 00:00:00百科推出 公司 整流器

• IR推出逻辑电平栅极驱动芯片组

  

  IR推出逻辑电平栅极驱动芯片组，芯片组，推出，损耗，传导，栅极，　　全球功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 日前推出了一款优化版车用DirectFET 2功率MOSFET芯片组，适合内燃机、混合动力和电动车中的DC-DC应用。　　新型40V逻辑电平栅极驱动芯片组包含AUIRL7732S2 MOSFET和AUIRL7736M2 MOSFET ，有助于最大限度减少DC-DC转换器的开关和传导损耗。这些器件也可用于更普遍的重载应用，如泵和风扇的...

  2011-05-04 00:00:00百科芯片组 推出 损耗

• 凌力尔特推出LTC4441高可靠性(MP级)版本

  

  凌力尔特推出LTC4441高可靠性(MP级)版本，推出，器件，公司，驱动器，栅极，　　凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 级) 版本，该器件是一款 6A N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，在 -55°C 至 125°C 的工作节温范围内工作。该高功率驱动器设计用于增加 DC/DC 控制器的输出功率及效率，从而使其能够驱动高功率 N 沟道 MOSFET 或多个并联的 MOSFET。其栅极驱动电压从 5V...

  2011-04-06 00:00:00百科推出 器件 公司

• Vishay推出最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN

  

  Vishay推出最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN，推出，芯片，封装，业界，栅极，日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK®1212封装的器件，在实现低导通电阻的同时，高度比通常的0.7...

  2012-11-28 00:00:00百科推出 芯片 封装

• IR推出紧凑型车用AUIR0815S栅极驱动IC

  

  IR推出紧凑型车用AUIR0815S栅极驱动IC，推出，公司，整流器，栅极，车用，　　国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用IC ── AUIR0815S，具备超过10 A 的高输出电流，能够驱动逆变器级的大型 IGBT 和 MOSFET，适用于混合动力汽车和电动汽车中的动力系统。　　AUIR0815S 的超低输出阻抗和低功率损耗使其可以在恶劣和高温环境下运行。典型的输出电阻为 90 mΩ sink 和 180 mΩ source...

  2012-02-02 00:00:00百科推出 公司 整流器

• IR推出逻辑电平栅极驱动芯片组

  

  IR推出逻辑电平栅极驱动芯片组，芯片组，推出，损耗，传导，栅极，　　全球功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 日前推出了一款优化版车用DirectFET 2功率MOSFET芯片组，适合内燃机、混合动力和电动车中的DC-DC应用。　　新型40V逻辑电平栅极驱动芯片组包含AUIRL7732S2 MOSFET和AUIRL7736M2 MOSFET ，有助于最大限度减少DC-DC转换器的开关和传导损耗。这些器件也可用于更普遍的重载应用，如泵和风扇的...

  2011-05-04 00:00:00百科芯片组 推出 损耗

• 凌力尔特推出LTC4441高可靠性(MP级)版本

  

  凌力尔特推出LTC4441高可靠性(MP级)版本，推出，器件，公司，驱动器，栅极，　　凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 级) 版本，该器件是一款 6A N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，在 -55°C 至 125°C 的工作节温范围内工作。该高功率驱动器设计用于增加 DC/DC 控制器的输出功率及效率，从而使其能够驱动高功率 N 沟道 MOSFET 或多个并联的 MOSFET。其栅极驱动电压从 5V...

  2011-04-06 00:00:00百科推出 器件 公司