衬底

为什么芯片制造要用单晶硅片作衬底？

为什么芯片制造要用单晶硅片作衬底？，衬底,芯片,原因,热量,能和,稳定性，单晶硅片是SN74ALVC164245DGGR芯片制造中最常用的衬底材料之一，其主要原因是单晶硅片具有一系列优良的性质，包括高纯度、机械强度高、热膨胀系数小、热导率高、导电性能好等。以下是单晶硅片作为衬底材料的优势和原因的详细说明。1、高纯度单晶硅片是由高纯度硅材料制成的，纯度通常高达99.9999%以上。在芯片制造中，要求衬底材料具有非常高的纯度，以确保芯片本身的性...

2023-06-07 22:41:00行业信息衬底芯片原因
介绍硅衬底GaN基Micro LED技术的发展情况

介绍硅衬底GaN基Micro LED技术的发展情况，Micro LED,氮化镓,GaN,LED芯片，芯片,情况,衬底,选择，Micro LED新型显示具有巨大市场前景，也面临着一系列技术挑战。选择合理的产业化路线对推动Micro LED应用落地非常关键。" /...

2023-04-26 10:16:00行业信息芯片情况衬底
布勒莱宝光学HELIOS磁控溅射镀膜设备迎接半导体光学的挑战

布勒莱宝光学HELIOS磁控溅射镀膜设备迎接半导体光学的挑战，半导体,光学技术,3D传感器，传感器,3D,衬底,碰撞，有人曾这样形容磁控溅射技术——就像往平静的湖水里投入了石子溅起水花。磁控溅射真空镀膜技术是物理气相沉积（Physical Vapor Deposition）的一种，其原理是：用带电粒子加速轰击靶材表面，发生表面原子碰撞并产生能量和动量的转移，使靶材原子从表面逸出并沉积在衬底材料上的过程。" /...

2023-04-18 10:30:00行业信息传感器 3D 衬底
硅衬底GaN LED技术的应用机遇与挑战

硅衬底GaN LED技术的应用机遇与挑战，Micro LED,GaN,led,miniled，衬底,市场,可靠性,响应时间，硅衬底GaN LED技术的应用机遇与挑战-Micro LED作为“终极显示技术”其在未来拥有千亿级的市场，报告指出了Micro LED的优势及面临的挑战。面向AR应用，Micro LED在亮度、能效、可靠性、响应时间、色彩饱和度、厚度、尺寸等方面具有优异的性能，市场潜力巨大。"...

2023-04-08 11:17:00行业信息衬底市场可靠性
化合物半导体+大直径晶圆制造，Aeluma光电探测器开始送样

化合物半导体+大直径晶圆制造，Aeluma光电探测器开始送样，半导体,探测器,晶圆制造，每片,芯片,突破,衬底，Aeluma最近还宣布了一种新型光电探测器的性能突破。该探测器可实现小于100皮安（pA）的暗电流，以及高于90%的量子效率。并且，这一突破是在大直径晶圆衬底平台上实现的，从而使每片晶圆能够生产更多的探测器芯片。更高的单片晶圆芯片数量，加上高度自动化的制造" /...

2023-04-07 11:34:00行业信息每片芯片突破
电阻炉八英寸碳化硅制备技术探索

电阻炉八英寸碳化硅制备技术探索，碳化硅,氮化镓,高频器件，器件,高频,衬底,外延，电阻炉八英寸碳化硅制备技术探索-碳化硅衬底产品通过外延和核心器件企业，制成的终端产品应用于新能源汽车、光伏、轨道交通、电力电子等核心系统。"...

2023-03-29 14:55:00行业信息器件高频衬底
湖南科技大学材料学院在半导体器件散热领域取得新进展

湖南科技大学材料学院在半导体器件散热领域取得新进展，氮化镓,半导体器件,晶格，院在,器件,瓶颈,衬底，氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，在电力电子器件、大功率射频器件、短波长光电器件以及5G通讯等领域具有硅半导体无法比拟的优势。然而，散热问题是制约其发展和应用的瓶颈。通常氮化镓需要氮化铝（AlN）作为过渡层连接到具有高导热系数的衬底上。" /...

2023-03-24 10:37:00行业信息院在器件瓶颈

“第四代半导体” 迎重大突破！能否改变行业新技术？

“第四代半导体” 迎重大突破！能否改变行业新技术？，人工智能,半导体,功率半导体，新技术,人工智能,衬底,行业，中国电科46所氧化镓团队从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。" /...

2023-03-23 09:35:00行业信息新技术人工智能衬底
首次量产至今8年时间，沟槽栅SiC MOSFET的发展现状如何？

首次量产至今8年时间，沟槽栅SiC MOSFET的发展现状如何？，SiC，发烧,衬底,结构,公司，电子发烧友网报道（文/梁浩斌）SiC MOSFET的发展历史其实相当长远，全球SiC产业龙头Wolfspeed的前身Cree公司，其创始人之一John Palmour在1987年申请了一项涉及在SiC衬底上生成MOS电容器的结构，这项专利后来被视为促成SiC MOSFET诞生的关键。不过，由于衬底良率、制造工艺等问题，直到2011年SiC...

2023-03-18 00:07:00行业信息发烧衬底结构
8吋！SiC行业又增5个“玩家”

8吋！SiC行业又增5个“玩家”，碳化硅,SiC,晶圆厂，行业,衬底,企业,调研，根据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，目前全球已有超14家企业在8吋碳化硅衬底方面实现突破，而Wolfspeed已于去年实现生产。谢明凯指出，在8吋方面，盛新材料与Wolfspeed的距离只有一年之遥。" /...

2023-03-17 10:55:00行业信息行业衬底企业
晶能光电创新能力获权威认可通过国家企业技术中心认定

晶能光电创新能力获权威认可通过国家企业技术中心认定，晶能光电,led,硅衬底,GaN,发光二极管，晶能,衬底,企业,技术研发，晶能光电创新能力获权威认可通过国家企业技术中心认定- 近日，国家发改委、科技部、财政部、海关总署、税务总局五部委联合发文，公布第29批新认定及全部国家企业技术中心名单，晶能光电被认定为国家企业技术中心。国家级企业技术中心是我国最高级别的企业创新平台，旨在发挥企业在技术研发中的主体作用，提升企业技术中心的研发和...

2023-02-27 15:37:00行业信息晶能衬底企业
浅谈带驱动的三基色Micro LED显示模组

浅谈带驱动的三基色Micro LED显示模组，GaN,Micro LED,AR眼镜，眼镜,显示,衬底,虚拟现实，浅谈带驱动的三基色Micro LED显示模组-作为国家虚拟现实创新中心入局者，晶能光电利用自主创新的硅衬底GaN基LED技术，承担硅衬底Micro LED的关键共性技术开发。"...

2023-02-21 11:00:00行业信息眼镜显示衬底
国内主要碳化硅衬底供应商产能分析，与海外龙头差距扩大？

国内主要碳化硅衬底供应商产能分析，与海外龙头差距扩大？，硅衬底,供应商,产能，衬底,差距,海外,国内，电子发烧友网报道（文/梁浩斌）新能源汽车市场规模急剧上涨，对于碳化硅产业而言，上游产能扩充是现今各大厂商所一直努力的方向。可以看到过去一年里，海内外都持续投入到包括碳化硅上游衬底和外延片、中游晶圆制造、下游模块封装等领域，频繁传来这些领域产能扩充的消息。在碳化硅产业链中，成本占比最高的部分是衬底，碳化硅衬底的产能决定了下游器件的产量上...

2023-02-20 09:13:00行业信息衬底差距海外
功率半导体行业特点趋势及机遇挑战

功率半导体行业特点趋势及机遇挑战，电子系统,IGBT,功率半导体，行业,趋势,衬底,需求，功率半导体行业特点趋势及机遇挑战-作为电子系统中的基本单元，功率半导体是电力电子设备正常运行不可或缺的部件，应用场景广泛，且需求日益丰富。从行业技术和性能发展来看，功率半导体器件结构朝复杂化演进，功率半导体的衬底材料朝大尺寸和新材料方向发展；由于不同结构和不同衬底材料的功率半导体电学性能和成本各有差异，在不同应用场景各具优势，功率半导体市场呈现多器件结...

2023-02-03 09:46:00行业信息行业趋势衬底
晶能光电实验室获CNAS认可

晶能光电实验室获CNAS认可，晶能光电,led,CNAS,硅衬底，晶能,检测,审核,衬底，晶能光电实验室获CNAS认可-近日，晶能光电（江西）有限公司实验室顺利通过了中国合格评定国家认可委员会（CNAS）认可审核，获得了CNAS实验室认可证书（注册号：CNASL17585）,被列入了国家实验室认可名录。这表明晶能光电具备了按相应认可准则开展检测的技术能力和在认可的范围内使用CNAS国家实验室认可标志以及ILAC国际互认联合标志的能力。获得...

2023-01-12 19:14:00行业信息晶能检测审核
ST与Soitec合作开发碳化硅衬底制造技术

ST与Soitec合作开发碳化硅衬底制造技术，意法半导体,碳化硅,衬底,ST,SOITEC，衬底,公司,目标,提升，ST与Soitec合作开发碳化硅衬底制造技术-双方同意对Soitec技术进行产前验证，以面向未来的8寸碳化硅衬底制造提供关键半导体赋能技术，支持汽车电动化和工业系统能效提升等转型目标意法半导体(简称ST)和世界先驱的创新半导体材料设计制造公司Soitec 宣布了下一阶段的碳化硅 (SiC)衬底合作计划，由意法半导体在今后...

2022-12-08 12:22:00行业信息衬底公司目标

意法半导体与 Soitec 就碳化硅衬底制造技术达成合作

意法半导体与 Soitec 就碳化硅衬底制造技术达成合作，意法半导体,碳化硅，达成,衬底,公司,中国，意法半导体与 Soitec 就碳化硅衬底制造技术达成合作- 双方达成协议，将针对采用 Soitec 技术生产 200mm 碳化硅（ SiC ）衬底进行验证 Soitec 关键的半导体技术赋能电动汽车转型，助力工业系统提升能效 2022 年 12 月 5 日，中国北京——服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（ST...

2022-12-05 14:09:00行业信息达成衬底公司
世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底

世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底，GaN，衬底,生长,外延,电阻率，世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底-近年来，半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中。"...

2022-12-02 11:43:00行业信息衬底生长外延
希科半导体引领SiC外延片量产新时代

希科半导体引领SiC外延片量产新时代，碳化硅,SiC,外延片,第三代半导体,CVD，外延,苏州,公司,衬底，国产之光希科半导体：引领SiC外延片量产新时代希科半导体科技(苏州)有限公司碳化硅外延片新闻发布暨投产启动仪式圆满成功中国苏州，2022年11月23日——希科半导体科技（苏州）有限公司于苏州纳米科技城召开碳化硅（SiC）外延片投产新闻发布会。会上公司创始人、总经理吕立平宣布，公司采用国产CVD设备和国产衬底生产的6英寸SiC...

2022-11-29 18:06:00行业信息外延苏州公司
国产8英寸SiC衬底捷报频出，与海外龙头差距还有多大？

国产8英寸SiC衬底捷报频出，与海外龙头差距还有多大？，SiC，衬底,差距,行业,海外，电子发烧友网报道（文/梁浩斌）“碳化硅行业得衬底者得天下”，衬底作为SiC产业链中成本占比最大的部分，自然是各家必争之地。在下游需求带动下，SiC衬底正在从6英寸开始向8英寸推进，更大的衬底尺寸，意味着单片SiC晶圆能够制造出的芯片数量更多，晶圆边缘浪费减少，单芯片成本降低。由于国内相关产业起步较晚，从以往SiC衬底量产节点来看，国际上4英寸SiC...

2022-11-23 09:22:00行业信息衬底差距行业
意法半导体与 Soitec 就碳化硅衬底制造技术达成合作

意法半导体与 Soitec 就碳化硅衬底制造技术达成合作，意法半导体,碳化硅，达成,衬底,公司,中国，意法半导体与 Soitec 就碳化硅衬底制造技术达成合作- 双方达成协议，将针对采用 Soitec 技术生产 200mm 碳化硅（ SiC ）衬底进行验证 Soitec 关键的半导体技术赋能电动汽车转型，助力工业系统提升能效 2022 年 12 月 5 日，中国北京——服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（ST...

2022-12-05 14:09:00行业信息达成衬底公司
世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底

世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底，GaN，衬底,生长,外延,电阻率，世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底-近年来，半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中。"...

2022-12-02 11:43:00行业信息衬底生长外延
希科半导体引领SiC外延片量产新时代

希科半导体引领SiC外延片量产新时代，碳化硅,SiC,外延片,第三代半导体,CVD，外延,苏州,公司,衬底，国产之光希科半导体：引领SiC外延片量产新时代希科半导体科技(苏州)有限公司碳化硅外延片新闻发布暨投产启动仪式圆满成功中国苏州，2022年11月23日——希科半导体科技（苏州）有限公司于苏州纳米科技城召开碳化硅（SiC）外延片投产新闻发布会。会上公司创始人、总经理吕立平宣布，公司采用国产CVD设备和国产衬底生产的6英寸SiC...

2022-11-29 18:06:00行业信息外延苏州公司
国产8英寸SiC衬底捷报频出，与海外龙头差距还有多大？

国产8英寸SiC衬底捷报频出，与海外龙头差距还有多大？，SiC，衬底,差距,行业,海外，电子发烧友网报道（文/梁浩斌）“碳化硅行业得衬底者得天下”，衬底作为SiC产业链中成本占比最大的部分，自然是各家必争之地。在下游需求带动下，SiC衬底正在从6英寸开始向8英寸推进，更大的衬底尺寸，意味着单片SiC晶圆能够制造出的芯片数量更多，晶圆边缘浪费减少，单芯片成本降低。由于国内相关产业起步较晚，从以往SiC衬底量产节点来看，国际上4英寸SiC...

2022-11-23 09:22:00行业信息衬底差距行业