碳化硅

• Qorvo®收购领先的碳化硅功率半导体供应商UnitedSiC公司

  

  Qorvo®收购领先的碳化硅功率半导体供应商UnitedSiC公司，Qorvo,碳化硅,功率半导体,UnitedSiC,电动车充，收购,公司,新泽西州,碳化硅，Qorvo®收购领先的碳化硅功率半导体供应商UnitedSiC公司-Qorvo今天宣布，已收购位于新泽西州普林斯顿领先碳化硅（SiC）功率半导体供应商UnitedSiC公司。"...

  2021-11-04 15:00:00行业信息收购 公司 新泽西州

• 安森美半导体发布新的650V碳化硅 (SiC) MOSFET

  

  安森美半导体发布新的650V碳化硅 (SiC) MOSFET，单元，电磁干扰，碳化硅，因数，可在，　　优异的开关和更高的可靠性在各种挑战性应用中提高功率密度　　2021年2月18日 —推动高能效创新的安森美半导体 （ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），发布一系列新的碳化硅 （SiC） MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术，将在电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、太阳能逆变器、服务器电源（PSU）、电信和不...

  2021-02-19 00:00:00百科单元 电磁干扰 碳化硅

• 碳化硅(SiC)龙头企业Cree年底改名为Wolfspeed

  

  碳化硅(SiC)龙头企业Cree年底改名为Wolfspeed，SiC,照明,led,半导体，产业,承诺,碳化硅,龙头企业，Cree方面表示，“我们的团队对于创新和超越可能极限的承诺将始终不变。作为碳化硅SiC产业的全球引领者，我们已经做好准备，在未来赋能实现开创性的、高效节能的变革！”" /...

  2021-02-05 15:34:00行业信息产业 承诺 碳化硅

• 首片国产 6 英寸碳化硅晶圆产品于上海发布

  

  首片国产 6 英寸碳化硅晶圆产品于上海发布，晶圆，上海,产品,效应,碳化硅，根据东方卫视的报道，首片国产 6 英寸碳化硅 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）晶圆于 10 月 16 日在上海正式发布。" /...

  2020-10-19 10:12:00行业信息上海 产品 效应

• 第三代半导体产业的发展前景如何?

  

  第三代半导体产业的发展前景如何?，新能源汽车，美元,工厂,用于,碳化硅，如碳化硅晶圆材料主要供应商科锐，正在进行大规模扩产。2019年5月，科锐宣布将投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能，建造一座200mm碳化硅生产工厂（North Fab）和一座材料超级工厂（mega factory），将带来碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和碳化硅材料生产的30倍增长。" /...

  2020-09-09 12:15:00行业信息美元 工厂 用于

• 意法半导体完成对碳化硅晶圆厂商Norstel AB的并购

  

  意法半导体完成对碳化硅晶圆厂商Norstel AB的并购，SiC，专业知识,碳化硅,半导体,晶圆，意法半导体完成对碳化硅晶圆厂商Norstel AB的并购-从材料专业知识和工艺工程，到SiC MOSFET和二极管设计制造，意法半导体加强内部SiC生态系统建设。"...

  2019-12-03 16:36:00行业信息专业知识 碳化硅 半导体

• 青铜剑科技发布全碳化硅器件解决方案，助力新能源汽车产业发展

  

  青铜剑科技发布全碳化硅器件解决方案，助力新能源汽车产业发展，器件，解决方案，控制器，碳化硅，新能源，9月19日，在青铜剑科技十周年庆典活动上，青铜剑科技、基本半导体联合发布了面向新能源汽车电机控制器的全碳化硅器件解决方案，采用自主研发的1200V碳化硅MOSFET芯片及车规级功率模块封装，配合稳定可靠的碳化硅门极驱动器，将有效提升新能源汽车电驱动系统关键部件性能。（发布会现场）根据《节能与新能源汽车技术路线图》要求，“到2020年，提升电驱动系统关键部件性能，满足纯电动和插电式混合动力汽车动力...

  2019-09-27 00:00:00百科器件 解决方案 控制器

• 德尔福科技推出800伏碳化硅逆变器 可使电动汽车充电时间减半

  

  德尔福科技推出800伏碳化硅逆变器 可使电动汽车充电时间减半，逆变器，推出，德尔福，业界，碳化硅，德尔福科技推出业界领先800伏碳化硅逆变器，将电动汽车充电时间减半德尔福科技成为业内首家实现800伏碳化硅逆变器量产的公司，从而进一步巩固在电气化领域技术领导者的地位。德尔福科技与碳化硅半导体领域的领导者科锐（Cree）达成合作。法兰克福，2019年9月11日 – 德尔福科技成为业内首家实现800 V碳化硅（SiC）逆变器量产的公司，该产品是下一代高效电动和混合动力汽车的核心部件之一。新的逆变器可...

  2019-09-20 00:00:00百科逆变器 推出 德尔福

• 啥是碳化硅（SiC）?SiC和Si性能大比拼

  

  啥是碳化硅（SiC）?SiC和Si性能大比拼，功率半导体，性能,之旅,碳化硅,太阳系，SiC在天然环境下非常罕见，最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中，发现了少量这种物质，所以它又被称为“经历46亿年时光之旅的半导体材料”。" /...

  2019-07-24 10:10:00行业信息性能 之旅 碳化硅

• 超级充电汽车,可以预见的未来碳化硅革命

  

  超级充电汽车,可以预见的未来碳化硅革命，电动，器件,碳化硅,未来,应用于，不止应用于汽车、碳化硅革命及其对硅器件的影响" /...

  2019-05-16 11:34:00行业信息器件 碳化硅 未来

• Cree宣布大幅提高碳化硅产能 为大众汽车提供SiC碳化硅基解决方案

  

  Cree宣布大幅提高碳化硅产能 为大众汽车提供SiC碳化硅基解决方案，大众，解决方案,项目,碳化硅,产能，14日，Cree宣布成为大众汽车集团（Volkswagen Group）FAST项目SiC碳化硅独家合作伙伴。" /...

  2019-05-16 08:51:00行业信息解决方案 项目 碳化硅

• Cree将宣布投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能

  

  Cree将宣布投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能，碳化硅，用于,美元,产业,碳化硅，先进的制造园区，将加速从Si硅向SiC碳化硅的产业转型，满足EV电动汽车和5G市场需求。" /...

  2019-05-10 17:53:00行业信息用于 美元 产业

• 基本半导体发布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

  

  基本半导体发布高可靠性1200V碳化硅MOSFET，平面，阈值，性能，碳化硅，流电，近十年来，第三代半导体技术已趋于成熟。碳化硅作为第三代半导体器件的重要代表，已在工业、汽车以及国防军工等领域有着广泛应用。基本半导体紧跟时代步伐，采用国际领先的碳化硅设计生产工艺，推出国内首款通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET，助推国内第三代半导体技术发展。基本半导体1200V 碳化硅MOSFET结构图基本半导体1200V 碳化硅MOSFET采用平面栅碳化硅工艺，结合元胞镇流电阻设计，开发出了短路耐受时间长...

  2019-01-17 00:00:00百科平面 阈值 性能

• 安森美半导体的碳化硅（SiC）二极管提供更高能效、更高功率密度和更低的系统成本

  

  安森美半导体的碳化硅（SiC）二极管提供更高能效、更高功率密度和更低的系统成本，扩展，功率密度，系统，推出，碳化硅，650 V SiC肖特基二极管开关性能出色和更可靠。2018年2月28日 – 推动高能效创新的安森美半导体 （ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON）推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管系列产品，扩展了SiC二极管产品组合。这些二极管的尖端碳化硅技术提供更高的开关性能、更低的功率损耗，并轻松实现器件并联。安森美半导体最新发布的650 V SiC 二...

  2018-03-01 00:00:00百科扩展 功率密度 系统

• Fairchild针对高速光伏逆变器和苛刻工业应用发布1200V SiC二极管

  

  Fairchild针对高速光伏逆变器和苛刻工业应用发布1200V SiC二极管，逆变器，推出，解决方案，碳化硅，高性能，　　美国加州圣何塞 – 2016 年 3月 22日 — 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild （NASDAQ： FCS） 发布首个1200V碳化硅（SiC）二极管 —— FFSH40120ADN，纳入即将推出的SiC解决方案系列。1200V二极管凭借卓越的开关性能、更高的可靠性和较低的电磁干扰（EMI），成为下一代光伏...

  2016-03-22 00:00:00百科逆变器 推出 解决方案

• 美高森美推出碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200V肖特基二极管

  

  美高森美推出碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200V肖特基二极管，推出，森美，芯片，公司，碳化硅，　　致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V肖特基二极管系列，新的二极管产品瞄准广泛的工业应用，包括太阳能逆变器、电焊机、等离子切割机、快速车辆充电、石油勘探，以及非常注重功率密度、更高性能和可靠性的其它大功率高压应用。　　与硅(Si)材料相比，碳化硅(SiC)材料具有...

  2012-11-22 00:00:00百科推出 森美 芯片

• 科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破！

  

  科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破！，突破，器件，提升，芯片，碳化硅，　　科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破，为更多大功率应用带来更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在内的科锐大功率碳化硅MOSFET器件降低电力电子系统成本并提升能效　　碳化硅功率器件的市场领先者科锐公司（Nasdaq： CREE）将重新界定大功率应用的性能和能效，推出全新产品系列—50A碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700V Z-FET™碳化硅 MOSFET器件，还包括120...

  2012-05-10 00:00:00百科突破 器件 提升

• 瑞萨电子开发出肖特基势垒二极管(SBD)RJS6005TDPP

  

  瑞萨电子开发出肖特基势垒二极管(SBD)RJS6005TDPP，器件，潜力，用于，出了，碳化硅，　　全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社(TSE：6723，以下简称“瑞萨”)宣布开发出了肖特基势垒二极管(SBD)RJS6005TDPP，该器件采用了碳化硅材料(SiC，注1)——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。这款新型SiC肖特基势垒二极管适用于空调、通信基站和太阳能阵列等大功率电子系统。该器件还采用了日立株式会社与瑞萨联合开...

  2012-02-09 00:00:00百科器件 潜力 用于

• CISSOID推出JUPITER高电压225℃碳化硅电源开关

  

  CISSOID推出JUPITER高电压225℃碳化硅电源开关，推出，控制，碳化硅，电压，电源开关，　　高温半导体供货商 CISSOID 稍早前推出一款高电压225℃碳化硅电源开关 JUPITER 「木星」，据称是首款以简单0/5V逻辑电平无缝闸极控制的高温碳化硅高电压开关，操作温度-55℃~+225℃。　　CHT-JUPITER 是一款600V，在225℃漏极电流额定为1A的常关开关。它包含一个碳化硅组件，和它是包装在一个密封的TO -254金属封装，保证可从-55℃~+225℃温度下操作。　　CHT-J...

  2011-04-14 00:00:00百科推出 控制 碳化硅

• 科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破！

  

  科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破！，突破，器件，提升，芯片，碳化硅，　　科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破，为更多大功率应用带来更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在内的科锐大功率碳化硅MOSFET器件降低电力电子系统成本并提升能效　　碳化硅功率器件的市场领先者科锐公司（Nasdaq： CREE）将重新界定大功率应用的性能和能效，推出全新产品系列—50A碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700V Z-FET™碳化硅 MOSFET器件，还包括120...

  2012-05-10 00:00:00百科突破 器件 提升

• 瑞萨电子开发出肖特基势垒二极管(SBD)RJS6005TDPP

  

  瑞萨电子开发出肖特基势垒二极管(SBD)RJS6005TDPP，器件，潜力，用于，出了，碳化硅，　　全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社(TSE：6723，以下简称“瑞萨”)宣布开发出了肖特基势垒二极管(SBD)RJS6005TDPP，该器件采用了碳化硅材料(SiC，注1)——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。这款新型SiC肖特基势垒二极管适用于空调、通信基站和太阳能阵列等大功率电子系统。该器件还采用了日立株式会社与瑞萨联合开...

  2012-02-09 00:00:00百科器件 潜力 用于

• CISSOID推出JUPITER高电压225℃碳化硅电源开关

  

  CISSOID推出JUPITER高电压225℃碳化硅电源开关，推出，控制，碳化硅，电压，电源开关，　　高温半导体供货商 CISSOID 稍早前推出一款高电压225℃碳化硅电源开关 JUPITER 「木星」，据称是首款以简单0/5V逻辑电平无缝闸极控制的高温碳化硅高电压开关，操作温度-55℃~+225℃。　　CHT-JUPITER 是一款600V，在225℃漏极电流额定为1A的常关开关。它包含一个碳化硅组件，和它是包装在一个密封的TO -254金属封装，保证可从-55℃~+225℃温度下操作。　　CHT-J...

  2011-04-14 00:00:00百科推出 控制 碳化硅